CVD Handy
Vaksis "handy" serisi, handy kelimesinin sözlük anlamı gibi kolay ve rahat kullanılabilirdir. Bu seri, Nitrürlerin (Si3N4), Oksitlerin (TiO2, SiO2), Yarıiletkenlerin (a-Si:H(i), a-Si:H(n) a-Si:H(p)) ve karbon benzeri yapıların (DLC) büyütülmesi için kullanılabilir. Bu platformdaki sistemlerde çeşitli konfigürasyonlar ile Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yöntemi uygulanmaktadır.
- En Düşük Basınç ≈ 10-7 Torr
- Alttaş Boyutu maks. 6” çapında
- Alttaş Isıtma maks. 400oC
- Alttaş Döndürme 3-30 rpm
- Soğutma Gerektiğinde
- Yükleme Kaldırılarak açılan üst kapaktan veya yükleme odasından
- Kontrol Tam otomatik
- Farklı Gaz Türleri için Kütle Akış Kontrolcüsü Sayısı Maks. 12
- Ek Gaz Emniyeti İstenildiğinde sunulabilmektedir
- Gaz Kabini Dahildir ve sistem yazılımına entegredir
GÜÇ KAYNAKLARI
- Mikrodalga Plazma Destekli CVD (MPCVD) için Mikrodalga güç kaynağı
- Kapasitif Eşleşmiş Plazma Kaynağı (CCP) için DC ve/veya RF Güç Sağlayıcısı ve İndüktif Eşleşmiş Plazma (ICP) Kaynağı için RF Güç Sağlayıcısı
